TankeBlue, 3” SiC 웨이퍼 생산량 늘려

(베이징 8월 31일 AsiaNet=연합뉴스) 아시아-태평양 지역 SiC 업계의 개척자로 불리는 TankeBlue Semiconductor Co. Ltd.가 최근 고품질 3” SiC 생산량을 늘렸다. 올해 초 전세계적으로 늘어나는 SiC 소비자의 시장 수요에 맞추어 TankeBlue는 2” 웨이퍼 가격을 최저 수준으로 낮춘 바 있다. 최근에는 애플리케이션의 핵심 품질 기준인 마이크로-파이프 밀도 10cm-2 이하를 자랑하는 전도성 n-type 3” 4H-SiC 웨이퍼를 다량으로 공급하기 시작했다. 그 외에도 3” 4H-SiC 웨이퍼는 저항력(0.03 ohm.cm 이하) 및 X-레이 저항곡선의 절반 최대치(FWHM: 30 arcsec)에서 최대폭과 같은 다른 핵심 품질 기준을 만족시키기 때문에, 미국과 유럽의 제품들과 경쟁할 수 있는 고품질 웨이퍼라 할 수 있다. 뿐만 아니라 웨이퍼 처리 품질이 높아 epi-ready한 것으로 인정받았으며, SiC 웨이퍼에서 GaN 및/혹은 SiC epi-layers 성장에도 아주 좋은 것으로 알려져 있다. 고객들이 이 웨이퍼에 Schottky barrier diode, 금속 반도체/산화물 F 효과 트랜지스터 등과 같은 SiC 장비를 처리해본 결과, 다른 업체에서 만든 SiC 웨이프에 버금가는 우수한 성능이 입증되었다. 이로서 TankeBlue는 새로운 3” SiC 웨이퍼 공급업체로 등극할 것으로 보인다. 이는 국제 SiC 반도체 업계에 있어 반가운 소식이 아닐 수 없다.

알려져 있다시피, 온도 523K 이상에서는 실리콘 기반 반도체 장비를 운영하기 힘들다. 523K보다 온도가 높을 경우, 실리콘 기반 장비의 기능 및 애플리케이션이 제한되기 때문이다. 뛰어난 열 및 전기 성능을 자랑하는 n-type SiC 웨이퍼는 고온, 고전력, 고주파수 및 고방사능 환경에서 SiC 파워 장비를 제조하고, 에너지 절약 요건을 만족시키는데 있어 이상적인 회로 기판이라 할 수 있다. TankeBlue는 웨이퍼 시장에서 선두업체가 되기 위해 이미 4” SiC 결정 성장 개발에 돌입했다.

자세한 정보는 아래 관계자에 연락하면 얻을 수 있다.

Alley Shi
TankeBlue Semiconductors Co. Ltd.
전화: +86-10-6267-0611
이메일: TKHD-Sales@tankeblue.com
웹사이트: http://www.tankeblue.com

자료 제공: TankeBlue Semiconductor Co. Ltd.